Samsung crea una nueva memoria DRAM movil de transferencia de 128GB Sec.

Samsung ha publicado detalles de un nuevo chip Mobile DRAM ha creado con su velocidad de transferencia de hasta 12.8GB x segundo.

El nuevo chip de memoria de 1GB utiliza 512 pines para entrada y salida y está equipado con una gama que interfaz E / S para teléfonos inteligentes y comprimidos, lo que le permite transmitir datos a 12.8GB/sec. Que es un aumento de ocho veces el ancho de banda en comparación con los chips DRAM LPDDR2. Samsung también ha sido capaz de reducir el consumo de energía chips en un masivo 87 por ciento.

Samsung espera comenzar el despliegue de 4 Gb 20 nm de ancho de clase I / O chips DRAM móvil en algún momento de 2013, pero los nuevos chips de 1 Gb comienzan a aparecer en los dispositivos como tabletas.